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设备配有三支磁控靶，两套直流电源，可用于镀多层导电金属膜。同时设备具有主腔室和过渡舱两部分，过渡舱配有磁力推杆，两个舱室之间装有真空闸板阀；用户可以在主腔室进行溅射工作的同时，在过渡舱装填样品，并进行真空预抽，待主腔室溅射完成后即可将样品通过磁力推杆推入主腔室的样品台。这样的设计能够减少主腔室抽放真空的次数，不仅能有效节省时间，更能保证更好的本地真空，有效提高镀膜质量
三靶磁控镀膜仪技术参数：
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项目 |
明细 |
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产品型号 |
CY-MSH325G-III-DCDCRF-SS |
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供电电源 |
VAC 110, 60Hz |
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样品台 |
位置 |
下部，带挡板 |
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直径尺寸 |
φ150mm |
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可调转速 |
0-20rpm 可调 |
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加热温度 |
RT~500oC |
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真空腔体 |
腔体尺寸 |
φ325xH510mm |
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腔体材料 |
304 不锈钢 |
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内壁处理 |
电解抛光 |
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密封方式 |
氟橡胶密封 |
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观察窗口 |
φ100mm（带挡板） |
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磁控靶枪 |
数量 |
3 |
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摆头角度 |
可调角度 -45~45 度 |
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溅射方向 |
向下溅射 |
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靶材平面 |
圆形平面靶 |
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靶材直径 |
2英寸 |
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靶材厚度 |
*厚3mm |
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直流电源 |
数量 |
2台 |
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电源功率 |
0~500W |
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输出电压 |
0～600V |
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*大输出电流 |
1A |
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启动时间 |
1~10S |
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射频电源 |
数量 |
1台 |
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电源功率 |
0~500W |
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射频频率 |
13.56MHz |
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匹配方式 |
自动匹配 |
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反射功率 |
≦100W |
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功率稳定性 |
±0.1% |
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膜厚监测仪 |
通道数 |
单通道 |
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测量精度 |
0.1 ? |
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测量速度 |
100ms-1s/次，可设置测量范围：500000?（铝） |
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标准传感器晶体 |
6MHz |
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适用晶片尺寸 |
Φ14mm |
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真空系统 |
前级泵 |
双极旋片泵，抽速1.1L/s |
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涡轮分子泵 |
抽速600L/s 额定转速：27000rpm 启动时间：≦5min 冷却方式：水冷 |
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真空度 |
5x10-4Pa |
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真空测量 |
复合真空计，测量范围10-5Pa ~ 105 Pa |
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过渡仓 |
腔体尺寸要适用于*大4英寸的晶圆 配备分子泵组： 前级泵：VRD-4，抽速1.1L/s 分子泵：日本TG60F，抽速60L/s |
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水冷机 |
冷却水流速 |
10L/min |
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整机功率 |
0.1KW |
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冷却功率 |
50W/℃ |
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水箱容量 |
9L |
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气体控制 |
1路质量流量计：Ar气，范围0-200sccm |
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控制系统 |
CYKY自研专业级控制系统 |
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