- 磁控溅射镀膜仪
- 热蒸发镀膜仪
- 高温熔炼炉
- 等离子镀膜仪
- 可编程匀胶机
- 涂布机
- 等离子清洗机
- 放电等离子烧结炉
- 静电纺丝
- 金刚石切割机
- 快速退火炉
- 晶体生长炉
- 真空管式炉
- 旋转管式炉
- PECVD气相沉积系统
- 热解喷涂
- 提拉涂膜机
- 二合一镀膜仪
- 多弧离子镀膜仪
- 电子束，激光镀膜仪
- CVD气相沉积系统
- 立式管式炉
- 1200管式炉
- 高温真空炉
- 氧化锆烧结炉
- 高温箱式炉
- 箱式气氛炉
- 高温高压炉
- 石墨烯制备
- 区域提纯炉
- 微波烧结炉
- 粉末压片机
- 真空手套箱
- 真空热压机
- 培育钻石
- 二硫化钼制备
- 高性能真空泵
- 质量流量计
- 真空法兰
- 混料机设备
- UV光固机
- 注射泵
- 气体分析仪
- 电池制备
- 超硬刀具焊接炉
- 环境模拟试验设备
- 实验室产品配件
- 实验室镀膜耗材
- 其他产品
本设备为双靶磁控溅射镀膜仪，可用于金属薄膜的制备，在电子领域、光学领域、特殊陶瓷制备等领域均有应用，也可实验室SEM样品制备。
双靶磁控溅射镀膜仪配置结构：
设备配有两支磁控靶，两套直流电源，可用于镀多层导电金属膜。同时设备具有主腔室和过渡舱两部分，过渡舱配有磁力推杆，两个舱室之间装有真空闸板阀；用户可以在主腔室进行溅射工作的同时，在过渡舱装填样品，并进行真空预抽，待主腔室溅射完成后即可将样品通过磁力推杆推入主腔室的样品台。这样的设计能够减少主腔室抽放真空的次数，不仅能有效节省时间，更能保证更好的本地真空，有效提高镀膜质量。
双靶磁控溅射镀膜仪技术参数：
项目
明细
产品型号
CY-MSH325G-II-DCDC-SS
供电电压
AC220V，50Hz
整机功率
6.5KW
系统真空
≦5×10-4Pa
样品台
外形尺寸
φ150mm
加热温度
≦500℃
控温精度
±1℃
可调转速
≦20rpm
磁控靶枪
靶材尺寸
直径Φ50.8mm，厚度≦3mm
冷却模式
循环水冷
水流大小
不小于10L/Min
真空腔体
腔体尺寸
直径φ325mm，高度500mm
腔体材质
SUU304不锈钢
观察窗口
直径φ100mm
过渡腔体
150x150x150mm
开启方式
顶开式
气体控制
1路质量流量计用于控制Ar流量，量程为:200SCCM
真空系统
配分子泵系统1套，气体抽速600L/S
膜厚测量
可选配石英晶体膜厚仪，分辨率0.10 ?
溅射电源
配直流电源500W*2
控制系统
CYKY自研专业级控制系统
设备尺寸
1200mm×1200mm×2000mm
设备重量
450kg
