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该电子束蒸发方式镀膜仪，主要用于制备各种导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜，微纳器件微加工，电镜样品预处理等，尤其适用蒸镀各种难熔金属材料。不仅可用于玻璃片、硅片等硬质衬底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性衬底上镀膜。
电子束蒸发镀膜仪设备技术参数
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使用条件 |
环境温度 |
5℃～40℃ |
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电源 |
380V |
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功率 |
≤20KW |
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水压 |
≤2.5bar |
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真空室尺寸 |
蒸发室尺寸 |
φ500×H500(㎜) |
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过渡仓库 |
φ280×H300(㎜) |
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电子枪 |
新型电子枪1套，6穴坩埚 |
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离子源 |
考夫曼离子源K08一套 |
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样品转盘 |
样品尺寸：≤φ150mm，样品可旋转，也可上下升降调节样品到电子枪距离(样品托形状按用户要求设计),加热温度≤500℃ |
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系统真空度 |
极限真空 |
经12～24小时烘烤，连续抽气≤5x10-5Pa |
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抽气速率 |
从大气开始40分钟内真空度≤5x10-4Pa |
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系统漏率 |
整机漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵关机12小时后，测量真空室真空度≤10Pa |
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抽真空系统 |
TY1200分子泵+机械泵(VRD-30)系统，并设置旁路抽气 |
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镀膜监测 |
采用TM160膜厚仪进行监测 |
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镀膜厚度的不均匀度 |
≤3% |
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