产品名称：电子束蒸发镀膜仪

电子束蒸发镀膜仪设备用途：

用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。

电子束蒸发镀膜仪技术参数：

结构形式		真空室采用U型箱体前开门，后置抽气系统
真空室		500×500×600mm2
真空系统配置		复合分子泵、机械泵、闸板阀
极限压力		≤6. 67×10-5Pa (经烘烤除气后）；
恢复真空时间		45分钟可达到6. 67×10-4Pa (系统短时间暴露大气并充干燥 氮气后）
电子束 蒸发源	e型电子枪	阳极电压：6kv、8kv;
	数量（套）	1
	坩埚	水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml
	功率	0一6 KW可调
电阻蒸发源 (可选）	电压	5、10V
	功率	电流300A，*大输出功率3KW
	数量	1套，可切换
	水冷电极	3根，组成2个蒸发舟
工件架类型及尺寸		基片尺寸：可放置4”基片，加热zui高温度800℃±1℃ ,基片可连续回转，转速5~60转/分 基片与蒸发源之间距离300~350mm可调，手动控制样品挡板组件1套
气路系统		200SCCM质量流量控制器1路
石英晶振膜厚控制仪		监测膜厚显示范围：0~99 u 9999A;
设备占地面积	主机	900×800mm2
	电控柜	800×800mm2 (两个）

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