产品名称：CVD培育钻石设备

CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石，它的化学成分为碳，运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境，通过化学气象沉积技术（CVD）栽种而成.

MPCVD单晶金刚石沉积设备

适合的应用:

化学气相沉积法制备高品质单晶金刚石

化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石自支撑厚膜

化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石薄膜

化学气相沉积法制备石墨烯、碳纳米管、富勒烯和金刚石膜等各种碳纳米薄膜

产品特点：

本产品为不锈钢腔体式6kw微波等离子体设备，功率密度高；

水冷式基片台和水冷式金属反映腔，保证系统能长时间稳定工作；

基片温度以微波等离子体自加热方式达到；

真空测量仪表采用全量程真空计，可**测量本底真空和工作气体压强；

真空泵及阀门采用涡轮分子泵(极限真空为1×10-5Pa)和旋片式机械真空泵(极限真空为1Pa)，系统可自动控制沉积气压；

配备冷却水循环系统，确保装置高功率下可长时间**稳定运行；

系统带15寸触摸屏，PLC自动控制，可设置温度或气压恒定，可保存复用多达20套工艺文件；

全自动工艺控制?？?，可以稳定可靠地制备高品质金刚石薄膜和晶体

技术指标与特性：

微波系统（法国Sairem 微波源）	微波频率	2450±25MHz
	输出功率	0.6kw~6kw 连续可调
	微波调谐	三销钉调配器，模式转换天线
	微波反射?；?/span>	环形器，水负载
	微波工作模式	TM013
	微波泄漏	≤ 2 mw/cm2
真空系统	工作气压范围	10~250Torr
	自动稳压范围	40~250Torr
	真空泵	4.4L/s 旋片式真空泵
	系统漏率	<1.0x10-9 Pa?m3 /秒 (通过氦质谱检漏仪检测)
	腔体保压能力	每24 小时压升小于0.2 乇
	本底极限真空	0.1Pa（7.5 x10-4 Torr)
	真空测量	品牌薄膜规
真空反应腔	反应腔材料及结构	双层水冷不锈钢反应腔
	真空密封	金属密封+氟胶圈密封(取样门)
	反应腔内径	直径140mm
	样品台窗口	105x50mm 长方形端口，带O 形氟橡胶圈密封的前门
	观察窗口	两个端口，CF35 大口径，180°分布
	测温窗口	两个窗口水平角度25~30°，180°分布；窗口方便从反应腔上部的 斜角向下检测样品台的温度
样品台	电动升降式水冷基片台 直径100mm，高度可调范围0～70mm
	钼基片台直径≥50mm，在5000w, 180Torr 工作状态，等离子体火球可覆盖 整个基片台
	基片台温度 250～1400℃（取决于工艺参数）
气路	选用日本进口流量计及流量控制阀
	系统自带四路MFC
	四路MFC *大流速：H2: 1000sccm，CH4：100sccm，O2：20sccm，N2：2sccm
测温系统	德国Raytek 红外测温系统，测温范围：300~1300 摄氏度
系统软件	配置PLC 控制的15“触摸显示屏，用户操作界面友好，所有操作均可在触摸 屏上完成
	系统支持工程师和操作员两个用户级别，提供用户权限管理功能
	系统自带缺水，缺气，电源缺相，火球跳变，过温过载，打火等自动?；?/span>
	可设置多达10 套工艺配方，每套配方有40 行数据，生产流程通过工艺配方自 动控制，工艺数据可通过U 盘备份导出
	系统自带全自动抽气，点火，升温，降温等预设流程，用户操作简便
	全自动温度控制，气压控制，极大减轻系统操作员的工作量