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CY- MIOP500 为高真空多弧离子镀膜仪，利用电弧放电将导电材料离子化，利用其绕射性好的优势，产生高能离子并沉积在基底上（特别是泡沫镍等多孔基底），制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。主要由镀膜室、多弧靶、多弧电源、脉冲偏压电源、样品台、加热、真空系统、气路系统、PLC+触摸屏半自动控制系统等组成；该设备主机与控制一体化设计，操控方便；结构紧凑，占地面积小。该系列设备广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等，深受广大用户好评。
高真空多弧离子镀膜仪主要用途:
制备多元非晶合金,制备金属化合物，如氧化物和氮化物薄膜（氧气或氮气氛围）,制备纳米颗粒催化剂膜,用热电材料靶材制备热电效应薄膜。
高真空多弧离子镀膜仪技术参数：
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1.真空腔室 |
Ф500×H420mm，304 上等不锈钢，前开门结构； 腔室加热温度：室温～350±1℃； |
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2.真空系统 |
复合分子泵+直联旋片泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计； |
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优于 6.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）； |
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4.漏率 |
设备升压率≤0.8Pa/h； 设备保压：停泵 12 小时候后，真空≤10Pa； |
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5.抽速 |
(空载）从大气抽至 5.0×10-3Pa≤15min； |
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6.基片台尺寸 |
Φ150mm，自转工位 3 个； |
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7.基片台旋转 |
基片旋转：0～20 转/分钟； |
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8.溅射靶 |
DN100 新型磁过滤多弧靶 2 套 |
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9.脉冲偏压电源 |
-1000V，1 套； |
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11.控制方式 |
PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统； |
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12.报警及?；?/span> |
对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应?；ご胧?；完善 的逻辑程序互锁?；は低?； |
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13.占地 |
(主机）L1900×W800×H1900(mm)。 |
