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卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。
卤素灯RTP立式快速退火炉技术参数：
产品名称
卤素灯RTP立式快速退火炉
产品型号
CY-RTP1000-Φ200-300-V-T
基片尺寸
8英寸
基片基座
石英针（可选配SiC涂层石墨基座）
温度范围
150-1250℃
加热速率
10-150℃/S
温度均匀性
≤±1.5% (@800℃,
Silicon wafer)
≤±1.0% (@800℃, Substrate
on SiC coated graphite susceptor)
温度控制精度
≤ ±3℃
温度重复性
≤ ±3℃
真空度
5.0E-3
Torr / 5.0E-6 Torr
气路供应
标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（*多可选3路）
退火持续时间
≥35min@1250℃
温度控制
快速数字PID控制
尺寸
900mm*650mm*1600mm
