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PECVD化学气相沉积系统采用等离子体增强型化学气相沉积技术，能够利用高能量等离子体促进反应过程，有效提升反应速度，降低反应温度。适用于在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
PECVD化学气相沉积系统技术参数：
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产品名称 |
PECVD化学气相沉积系统 |
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产品型号 |
CY-PECVD-500T-SS |
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供电电源 |
AC220V 50Hz |
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射频电源 |
信号频率 |
13.56MHz |
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功率输出范围 |
0~300W |
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*大反射功率 |
100W |
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反射功率 (在*大功率时) |
<5W |
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功率稳定性 |
±0.1% |
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工作腔体 |
加热温度 |
RT-400℃ |
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温控精度 |
±1℃ |
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样品台尺寸 |
Φ200mm |
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样品台转速 |
1-20rpm 可调 |
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喷头尺寸 |
Φ200mm |
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距离 |
喷头与样品之间的距离40-100mm连续可调 |
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沉积工作真空 |
0. 133- 133Pa （可根据工艺调整） |
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法兰 |
上翻盖设计，基材易更换，并有可视窗口 |
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腔体 |
不锈钢材质, Φ500mm * 500mm |
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观察窗 |
Φ40mm |
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供气系统 |
通道数 |
定制 |
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测量单位 |
质量流量计 |
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测量范围 |
A 通道: 0～200SCCM for H2 |
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B 通道: 0～200SCCM for CH4 |
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C 通道: 0～200SCCM for C2H4 |
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D通道: 0～500SCCM for N2 |
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E通道: 0～500SCCM for NH3 |
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F通道: 0～500SCCM for Ar |
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测量精度 |
±1.5%F.S |
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工作压差 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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连接管材质 |
304 不锈钢 |
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气路 |
304 不锈钢针阀 |
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进气和出气接口规格 |
1/4" 卡套接头 |
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真空系统 |
前级泵抽速 |
4.7L/s |
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分子泵抽速 |
60L/s |
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真空测量 |
复合真空计, 范围10-5Pa ~ 105Pa |
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真空度 |
5.0*10-3Pa |
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水冷机 |
冷却水温度 |
≦37℃ |
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水流速 |
10L/min |
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功率 |
0.1KW |
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冷却功率 |
50W/℃ |
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空压机 |
OTS-550 |
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产品尺寸 |
1362*736*1434 |
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产品重量 |
280公斤 |
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